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參數(shù)資料
| 型號： | KSE340 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage General Purpose Applications |
| 中文描述： | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | KSE340 |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A1, December 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
Parameter
Value
300
300
5
500
20
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
mA
W
°
C
°
C
Test Condition
Min.
300
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
I
C
= 1mA, I
B
= 0
V
CB
= 300V, I
E
=0
V
BE
= 3V, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 50mA
100
100
240
30
KSE340
High Voltage General Purpose Applications
High Collector-Emitter Breakdown Voltage
Suitable for Transformer
Complement to KSE350
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| KSE45H1 | General Purpose Power Switching Applications |
| KSE45H10 | General Purpose Power Switching Applications |
| KSE45H11 | General Purpose Power Switching Applications |
| KSE45H2 | General Purpose Power Switching Applications |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSE340S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE340STSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE340STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE350 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage General Purpose Applications |
| KSE350S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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