參數(shù)資料
型號： KSD73
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low Frequency High Power Amplifier
中文描述： 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： KSD73
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
h
FE
Classification
Parameter
Value
100
60
5
5
30
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 20mA, I
B
= 0
I
E
= 1mA, I
C
= 0
V
CB
= 100V, I
E
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 1.0A
I
C
= 5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 5A, I
B
= 0.5A
V
CE
= 10V, I
C
= 0.3A
V
CE
= 10V, I
E
= 1.0A
Min.
100
60
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
mA
5
240
2.0
1.5
70
V
V
20
0.75
MHz
V
Classification
h
FE
O
Y
70 ~ 140
120 ~ 240
KSD73
Low Frequency High Power Amplifier
Collector-Base Voltage : V
CBO
= 100V
Collector Current : I
C
= 5A
Collector Dissipation : P
C
= 30W (T
C
=25
°
C)
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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