參數(shù)資料
型號： KSB1116
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching
中文描述： 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： KSB1116
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, January 2002
K
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. Static Characteristic
Figure 3. DC current Gain
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Switching Time
Figure 6. Collector Output Capacitance
0
-2
-4
-6
-8
-10
0
-20
-40
-60
-80
-100
I
B
= -250
μ
A
I
B
= -200
μ
A
I
B
= -100
μ
A
I
B
= -150
μ
A
I
B
= -50
μ
A
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
I
B
= -4.0mA
I
B
= -4.5mA
I
B
= -5.0mA
I
B
= -3.5mA
I
B
= -3.0mA
I
B
= -2.5mA
I
B
= -2.0mA
I
B
= -1.0mA
I
B
= -1.5mA
I
B
= -0.5mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
-0.1
-1
-10
10
100
1000
V
CE
= -2V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 20 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.001
-0.01
-0.1
-1
0.01
0.1
1
10
V
CC
= -10V
I
C
= 10I
B1
= -10I
B2
t
F
t
ON
t
STG
t
O
,
S
,
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
1
10
100
1000
I
E
=0
f = 1MHz
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
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PDF描述
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參數(shù)描述
KSB1116A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching
KSB1116AGBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1116AGTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1116ALBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1116ALTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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