參數(shù)資料
型號: KSA940
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Vertical Deflection Output Power Amplifier
中文描述: 1.5 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商: KSA940
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Safe Operating Area
Figure 5. Power Derating
-0
-4
-8
-12
-16
-20
-0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
I
B
= -20mA
I
B
=-1 =-100mA
I
B
I
B
= -15mA
I
B
= -40mA
I
B
= -10mA
I
B
=-50mA
I
B
= -30mA
I
B
= -5mA
I
B
= 0mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-0.01
-0.1
-1
1
10
100
1000
V
CE
= -10V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 10 I
B
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
1s
I
C
MAX. (DC)
100ms
DC
10ms
T
C
=25
I
C
MAX. (Pulse)
V
C
M
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
50
100
150
0
4
8
12
16
20
24
28
32
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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KSA940H2 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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KSA940TSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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