參數(shù)資料
型號(hào): KSA940
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Vertical Deflection Output Power Amplifier
中文描述: 1.5 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商: KSA940
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
Parameter
Ratings
- 150
- 150
- 5
- 1.5
- 0.5
1.5
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= - 120V, I
E
= 0
V
EB
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 10V, I
C
= - 500mA
I
C
= - 500mA, I
B
= - 50mA
V
CE
= - 10V, I
C
= - 500mA
V
CE
= - 10V, I
C
= - 500mA
V
CB
= - 10V, I
E
= 0
f = 1MHz
Min.
Typ.
Max.
- 10
- 10
140
- 1.5
- 0.85
Units
μ
A
μ
A
40
75
V
V
- 0.65
- 0.75
4
55
MHz
pF
KSA940
Vertical Deflection Output Power Amplifier
Complement to KSC2073
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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KSA940H2 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA940H2TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA940TSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA940TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2