參數(shù)資料
型號(hào)： KS7308
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Frequency Conversion Memory(頻率轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器)
中文描述： 變頻內(nèi)存（頻率轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 4/13頁
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代理商： KS7308
KS7308 FCM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Vdd = 4.75 ~ 5.25V Ta = +25
°
C)
NOTE :
*
1 = NTTO,ACTO
*
2 = SO, DO [ 9 : 0 ], HOE
Characteristics
Storage temperature
Operating temperature
Supply voltage
Input voltage
Symbol
Tstg
Topr
Vdd
Vin
Rating
-40 ~125
0 ~ 70
-0.3 ~ 7.0
-0.3 ~ Vdd +0.3
Unit
°
C
°
C
V
V
Characteristics
Low level input voltage
High level input voltage
*
1
*
2
*
1,
*
2
Input Low current
Input High current
Output leakage current
Supply current
Symbol
VIL
VIH
VOL1
Condition
Min
-
0.7Vdd
-
Typ
-
-
-
Max
0.3Vdd
Unit
V
V
V
IOL = 4mA
0.4
VOL2
IOL = 1mA
-
-
0.4
V
VOH
IOH = 1mA
2.4
-
-
V
IIL
IIH
IOZ
Idd
Vin = Vss(Gnd)
Vin = Vdd
-10
-10
-10
-
-
-
-
-
+10
+10
+10
40
uA
uA
uA
mA
Vin = Vdd
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PDF描述
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