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參數(shù)資料
| 型號： | KM4470IP14TR3 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運(yùn)動控制電子 |
| 英文描述： | Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
| 中文描述： | QUAD OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 2.2 MHz BAND WIDTH, PDSO14 |
| 封裝： | TSSOP-14 |
| 文件頁數(shù)： | 11/16頁 |
| 文件大小： | 459K |
| 代理商： | KM4470IP14TR3 |
KM4170, KM4270, KM4470
DATA SHEET
REV. 5 December 2002
11
Figure 6g: KEB010 (top side)
Figure 6h: KEB010 (bottom side)
KM4270 Evaluation Board Layout
Figure 6e: KEB006 (top side)
Figure 6f: KEB006 (bottom side)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4170IT5TR3 | Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
| KM44C1003D | 1M x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM with Fast Page Mode(1M x 4位CMOS四 CAS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44C1004D | 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(1M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM44V1004D | 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(1M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM44C1005D | 1M x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM with Extended Data Out(1M x 4位CMOS四 CAS 動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44C1000BLJ-7 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 1M x 4, 26 Pin, Plastic, SOJ |
| KM44C1000D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM44C1000DJ6 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:* |
| KM44C16000B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM44C16100B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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