參數(shù)資料
型號(hào)： KM41V16000C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
中文描述： 1,600 x1Bit的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的快速頁(yè)面模式（1,600 x1位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶快速頁(yè)模式））
文件頁(yè)數(shù)： 6/19頁(yè)
文件大?。?/td> 293K
代理商： KM41V16000C
CMOS DRAM
KM41C16000C, KM41V16000C
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
Parameter
Symbol
-5
-6
Units
Notes
Min
Max
Min
Max
Data set-up time
t
DS
t
DH
t
REF
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPA
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
WTS
t
WTH
t
WRP
t
WRH
t
RASS
t
RPS
t
CHS
0
0
ns
9
Data hold time
10
10
ns
9
Refresh period (Normal)
64
64
ms
Refresh period (L-ver)
128
128
ms
Write command set-up time
0
0
ns
7
CAS to W delay time
13
15
ns
7
RAS to W delay time
50
60
ns
7
Column address to W delay time
25
30
ns
7
CAS precharge to W delay time
30
35
ns
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)
5
5
ns
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)
10
10
ns
RAS to CAS precharge time
5
5
ns
Access time from CAS precharge
30
35
ns
3
Fast Page mode cycle time
35
40
ns
Fast Page read-modify-write cycle time
53
60
ns
CAS precharge time (Fast Page cycle)
10
10
ns
RAS pulse width (Fast Page cycle)
50
200K
60
200K
ns
RAS hold time from CAS precharge
30
35
ns
Write command set-up time (Test mode in)
10
10
ns
11
Write command hold time (Test mode in)
10
10
ns
11
W to RAS precharge time(C-B-R refresh)
10
10
ns
W to RAS hold time(C-B-R refresh)
10
10
ns
RAS pulse width (C-B-R self refresh)
100
100
us
13,14,15
RAS precharge time (C-B-R self refresh)
90
110
ns
13,14,15
CAS hold time (C-B-R self refresh)
-50
-50
ns
13,14,15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM41C4000D 4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM4200IC8 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IC8TR3 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IM8 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM41V4000D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM4200 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IC8 功能描述:高速運(yùn)算放大器 SOIC-8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
KM4200IC8TR3 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Dual RRO amplifier 26Mhz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
KM4200IC8TR3_NL 功能描述:高速運(yùn)算放大器 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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