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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM4170IT5TR3 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運(yùn)動(dòng)控制電子 |
| 英文描述： | Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
| 中文描述： | OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 2.2 MHz BAND WIDTH, PDSO5 |
| 封裝： | SC-74A, SOT-23, 5 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 459K |
| 代理商： | KM4170IT5TR3 |
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DATA SHEET
KM4170, KM4270, KM4470
12
REV. 5 December 2002
Figure 6k: KEB012 (layer1 mask)
Figure 6l: KEB012 (layer2 mask)
KM4470 Evaluation Board Layout
Figure 6i: KEB012 (top side)
Figure 6j: KEB012 (bottom side)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44C1003D | 1M x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM with Fast Page Mode(1M x 4位CMOS四 CAS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式)) |
| KM44C1004D | 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(1M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM44V1004D | 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(1M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM44C1005D | 1M x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM with Extended Data Out(1M x 4位CMOS四 CAS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM44C16100B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM418RD16AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD16AD | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD16C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD16D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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