參數(shù)資料
型號： KM416V4100C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式))
中文描述： 4米× 16位的快速頁面模式的CMOS動態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器（帶快速頁模式））
文件頁數(shù)： 6/35頁
文件大?。?/td> 697K
代理商： KM416V4100C
KM416V4000C,
KM416V4100C
CMOS DRAM
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
Parameter
Symbol
-45
-5
-6
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Refresh period (Normal)
t
REF
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPA
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
WTS
t
WTH
t
WRP
t
WRH
t
RASS
t
RPS
t
CHS
64
64
64
ms
Refresh period (L-ver)
128
128
128
ms
Write command set-up time
0
0
0
ns
7
CAS to W delay time
32
36
38
ns
7,15
RAS to W delay time
67
73
83
ns
7
Column address to W delay time
43
48
53
ns
7
CAS precharge W delay time
48
53
60
ns
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)
5
5
5
ns
17
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)
10
10
10
ns
18
RAS to CAS precharge time
5
5
5
ns
Access time from CAS precharge
26
30
35
ns
3
Fast Page mode cycle time
31
35
40
ns
Fast Page mode read-modify-write cycle time
70
76
85
ns
CAS precharge time (Fast page cycle)
9
10
10
ns
14
RAS pulse width (Fast page cycle)
45
200K
50
200
60
200
ns
RAS hold time from CAS precharge
28
30
35
ns
OE access time
12
13
15
ns
3
OE to data delay
12
13
13
ns
Output buffer turn off delay time from OE
0
13
0
13
0
13
ns
6
OE command hold time
12
13
15
ns
Write command set-up time (Test mode in)
10
10
10
ns
11
Write command hold time (Test mode in)
15
15
15
ns
11
W to RAS precharge time (C-B-R refresh)
10
10
10
ns
W to RAS hold time (C-B-R refresh)
10
10
10
ns
RAS pulse width (C-B-R self refresh)
100
100
100
us
20,21,22
RAS precharge time (C-B-R self refresh)
80
90
110
ns
20,21,22
CAS hold time (C-B-R self refresh)
-50
-50
-50
ns
20,21,22
相關PDF資料
PDF描述
KM416V4000C 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM416V4104B 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104C 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104CS-45 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM41C16000C 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式))
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KM416V4104B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104CS-45 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM4170 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers
KM4170IS5TR3 功能描述:高速運算放大器 Tiny RRIO Amplifier RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*