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參數(shù)資料
| 型號： | KM416V4000C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| 中文描述： | 4米× 16位的快速頁面模式的CMOS動態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器（帶快速頁模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 7/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | KM416V4000C |
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KM416V4000C,
KM416V4100C
CMOS DRAM
TEST MODE CYCLE
Parameter
Symbol
-45
-5
-6
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Random read or write cycle time
t
RC
85
95
115
ns
Read-modify-write cycle time
t
RWC
120
138
160
ns
Access time from RAS
t
RAC
50
55
65
ns
3,4,10,12
Access time from CAS
t
CAC
17
18
20
ns
3,4,5,12
Access time from column address
t
AA
28
30
35
ns
3,10,12
RAS pulse width
t
RAS
50
10K
55
10K
65
10K
ns
CAS pulse width
t
CAS
17
10K
18
10K
20
10K
ns
RAS hold time
t
RSH
17
18
20
ns
CAS hold time
t
CSH
50
55
65
ns
Column Address to RAS lead time
t
RAL
28
30
35
ns
CAS to W delay time
t
CWD
37
41
43
ns
7
RAS to W delay time
t
RWD
72
78
88
ns
7
Column Address to W delay time
t
AWD
48
53
58
ns
7
Fast Page mode cycle time
t
PC
36
40
45
ns
Fast Page mode read-modify-write cycle time
t
PRWC
75
81
90
ns
RAS pulse width (Fast page cycle)
t
RASP
50
200K
55
200K
65
200K
ns
Access time from CAS precharge
t
CPA
31
35
40
ns
3
OE access time
t
OEA
17
18
20
ns
OE to data delay
t
OED
17
18
18
ns
OE command hold time
t
OEH
17
18
20
ns
( Note 11 )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416V4104B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416V4104C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416V4104CS-45 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM41C16000C | 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM41V16000C | 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416V4004B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416V4004C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416V4100B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V4100C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V4104B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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