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參數資料
| 型號： | KM416S8030 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬× 16 × 4銀行同步DRAM |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | KM416S8030 |
KM416S8030
CMOS SDRAM
REV. 2 Mar. '98
Preliminary
I
OH
Characteristics(Pull-up)
Voltage
100Mhz
min
I(mA)
100Mhz
max
I(mA)
-2.4
-27.3
-74.1
-129.2
-153.3
-197
-226.2
-248
-269.7
-284.3
-344.5
-502.4
66Mhz
min
I(mA)
(V)
3.45
3.3
3
2.6
2.4
2
1.8
1.65
1.5
1.4
1
0
0
-0.7
-7.5
-13.3
-27.5
-35.5
-41.1
-47.9
-52.4
-72.5
-93
-21.1
-34.1
-58.7
-67.3
-73
-77.9
-80.8
-88.6
-93
IBIS Specification
I
OL
Characteristics(Pull-Down)
100Mhz
Voltage
min
I(mA)
0.0
27.5
41.8
51.6
58.0
70.7
72.9
75.4
77.0
77.6
80.3
81.4
100Mhz
max
I(mA)
0.0
70.2
107.5
133.8
151.2
187.7
194.4
202.5
208.6
212.0
219.6
222.6
66Mhz
min
I(mA)
0.0
17.7
26.9
33.3
37.6
46.6
48.0
49.5
50.7
51.5
54.2
54.9
(V)
0
0.4
0.65
0.85
1
1.4
1.5
1.65
1.8
1.95
3
3.45
0
-100
-200
-300
-400
-500
-600
0
3
0.5
1
1.5
2
2.5
3.5
voltage
m
250
200
150
100
50
0
0
3
0.5
1
1.5
2
2.5
3.5
voltage
m
66Mhz and 100Mhz Pull-Up
66Mhz and 100Mhz Pull-Down
Ioh min(100Mhz)
Ioh min(66Mhz)
Ioh max(66 and 100Mhz)
Iol min(100Mhz)
Iol min(66Mhz)
Iol max(100Mhz)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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