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參數(shù)資料
| 型號： | KM416C4000C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | RESISTOR |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的快速頁面模式 |
| 文件頁數(shù)： | 6/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 901K |
| 代理商： | KM416C4000C |
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KM416C4000C,
KM416C4100C
CMOS DRAM
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
Parameter
Symbol
-5
-6
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Refresh period (4K, Normal)
t
REF
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPA
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
WTS
t
WTH
t
WRP
t
WRH
t
RASS
t
RPS
t
CHS
64
64
ms
Refresh period (8K, Normal)
64
64
ms
Write command set-up time
0
0
ns
7
CAS to W delay time
36
38
ns
7,15
RAS to W delay time
73
83
ns
7
Column address to W delay time
48
53
ns
7
CAS precharge W delay time
53
60
ns
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)
5
5
ns
17
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)
10
10
ns
18
RAS to CAS precharge time
5
5
ns
Access time from CAS precharge
30
35
ns
3
Fast Page mode cycle time
35
40
ns
Fast Page mode read-modify-write cycle time
76
85
ns
CAS precharge time (Fast Page cycle)
10
10
ns
14
RAS pulse width (Fast Page cycle)
50
200K
60
200K
ns
RAS hold time from CAS precharge
30
35
ns
OE access time
13
15
ns
OE to data delay
13
13
ns
Output buffer turn off delay time from OE
0
13
0
13
ns
6
OE command hold time
13
15
ns
Write command set-up time (Test mode in)
10
10
ns
11
Write command hold time (Test mode in)
15
15
ns
11
W to RAS precharge time (C-B-R refresh)
10
10
ns
W to RAS hold time (C-B-R refresh)
10
10
ns
RAS pulse width (C-B-R self refresh)
100
100
us
20,21,22
RAS precharge time (C-B-R self refresh)
90
110
ns
20,21,22
CAS hold time (C-B-R self refresh)
-50
-50
ns
20,21,22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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