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參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G271A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| 中文描述： | 128K的x 32Bit的× 2銀行同步圖形內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 34/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 1000K |
| 代理商： | KM4132G271A |
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KM4132G271A
CMOS SGRAM
Rev.0 (August 1997)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
1. CS can be don't care when RAS, CAS and WE are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
Read
(A-Bank)
*Note 2
*Note 1
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
A
9
A
8
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
RAa
RBb
RAa
RBb
CAa
CBb
CBd
CAc
CAe
QAa0 QAa1
QAa2 QAa3
QBb0
QBb1 QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0 QBd1
QAe0 QAe1
QAa0 QAa1
QAa2 QAa3
QBb0 QBb1 QBb2 QBb3
QAc0
QAc1
QBd0 QBd1
QAe0 QAe1
DSF
LOW
: Don't care
*Note :
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4132G271BTQ(R)-10 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-7 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271B | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-10 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G271A-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271A-12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271A-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271AQ-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
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