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參數(shù)資料
| 型號： | KM29V32000TS |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲器) |
| 中文描述： | 4米× 8位NAND閃存（4米× 8位的NAND閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 13/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 301K |
| 代理商： | KM29V32000TS |
KM29V32000TS
FLASH MEMORY
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READ1 OPERATION
(INTERCEPTED BY CE)
CE
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7
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Dout N+1
Dout N+2
Dout N+3
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Address
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AR2
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CHZ
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RR
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RC
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(READ ONE PAGE)
CE
CLE
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I/O
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7
WE
ALE
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A
0
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7
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17
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21
Dout
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Dout 527
M Address
A
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3
:Valid Address
A
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7
:Don't care
Dout
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Selected
Row
Start
address M
512
16
t
AR2
t
R
t
WB
t
RR
≈
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29V32000T | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲器) |
| KM29V64000R | FLASH |
| KM29V64000TS | 8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY |
| KM29V64000T | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory(8M x 8位 NAND閃速存儲器) |
| KM29V64001RS | 8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29V64000R | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH |
| KM29V64000TS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY |
| KM29V64001RS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64001T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64001TS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
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