參數(shù)資料
型號： KM29N32000TS
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲器)
中文描述： 4米× 8位NAND閃存（4米× 8位的NAND閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 12/24頁
文件大小： 300K
代理商： KM29N32000TS
KM29N32000TS
FLASH MEMORY
12
* Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
I/O
0
~
7
NOTES :
Transition is measured
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
70H
Status Output
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
RSTO
t
IR
t
RHZ*
t
CHZ*
t
WHR
t
CSTO
t
CLS
READ1 OPERATION
(READ ONE PAGE)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
Busy
00h or 01h
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
21
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Dout N+3
Dout 527
Column
Address
Page(Row)
Address
t
WB
t
AR2
t
R
t
RC
t
RHZ
t
RR
t
CHZ
t
CEH
t
RB
t
CRY
t
WC
≈
≈
≈
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PDF描述
KM29U128IT 16M x 8 Bit NAND Flash Memory
KM29U128T 16M x 8 Bit NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
KM29U128IT 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory
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