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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2A-DID5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 98/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-DID5 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
98
6.6 Asynchronous Read
(AVD is tied to CE)
See AC Characteristics Table 5.5
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
t
ACC
CLK
V
IL
AVD
t
AAVDS
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
WEA
t
CEZ
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
CE
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
t
ACC
CLK
V
IL
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
RC
DQ0-DQ15
t
CEZ
6.5 Asynchronous Read
(VA and AVD Transition After CE Low)
See AC Characteristics Table 5.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DID6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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