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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2A-DID5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 62/114頁 |
| 文件大小： | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-DID5 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
62
Data Protection Operation Flow Diagram
Start
Write ’SBA’ of Flash
Add: F24Ch DQ=SBA
Lock/Unlock/Lock-Tight
completed
Write ’lock/unlock/lock-tight’
Command
Add: F220h
DQ=002Ah/0023h/002Ch
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Note) Samsung strongly recommend to follow the above flow chart
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DID6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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