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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216D2A-FIB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 91/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216D2A-FIB5 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
91
Note 1. CE should be VIH for RDY. IOBE should be ’0’ for INT.
Note 2. Icc active for Host access
Note 3. ICC active for Internal operation. (without host access)
Parameter
Symbol
Test Conditions
1.8V device
2.65V device
3.3V device
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
=V
SS
to V
CC
, V
CC
=V
CCmax
- 1.0
-
+ 1.0 - 1.0
-
+ 1.0 - 1.0
-
+ 1.0
μ
A
Output Leakage Cur-
rent
I
LO
V
OUT
=V
SS
to V
CC
, V
CC
=V
CCmax
,
CE or OE=V
IH
(Note 1)
- 1.0
-
+ 1.0 - 1.0
-
+ 1.0 - 1.0
-
+ 1.0
μ
A
Active Asynchronous
Read Current (Note 2)
I
CC1
CE=V
IL
, OE=V
IH
-
8
15
-
18
22
-
18
22
mA
Active Burst Read Cur-
rent (Note 2)
I
CC2
CE=V
IL
, OE=V
IH
54Mhz
-
12
20
-
22
30
-
22
30
mA
1MHz
-
3
4
-
7
9
-
7
9
mA
Active Write Current
(Note 2)
I
CC3
CE=V
IL
, OE=V
IH
-
8
15
-
17
22
-
17
22
mA
Active Load Current
(Note 3)
I
CC4
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
30
40
-
30
40
-
30
40
mA
Active Program Cur-
rent (Note 3)
I
CC5
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
25
30
-
28
35
-
28
35
mA
Active Erase Current
(Note 3)
I
CC6
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
-
20
25
-
23
30
-
23
30
mA
Multi Block Erase Cur-
rent (Note 3)
I
CC7
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
,
64blocks
-
20
25
-
23
30
-
23
30
mA
Standby Current
I
SB
CE= RP=V
CC
±
0.2V
-
10
50
-
35
80
-
35
80
μ
A
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.4
-0.5
-
0.4
0
-
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
-
V
CCq
-
0.4
-
V
CCq
+0.4
V
CCq
-
0.4
-
V
CCq
+0.4
0.7*V
CCq
-
V
CCq
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 100
μ
A , V
CC
=V
CCmin
,
V
CCq
=V
CCqmin
-
-
0.2
-
-
0.2
-
-
0.22*
Vccq
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -100
μ
A , V
CC
=V
CCmin
,
V
CCq
=V
CCqmin
V
CCq
-
0.1
-
-
V
CCq
-
0.4
-
-
0.8*V
CCq
-
-
V
4.3 DC Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-FIB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FID5 | FLASH MEMORY |
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參數(shù)描述 |
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