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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216D2A-FED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 43/114頁 |
| 文件大小： | 1382K |
| 代理商： | KFG1216D2A-FED6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
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I/O Buffer Enable (IOBE)
IOBE is the I/O Buffer Enable for the INT and RDY signals. At startup, INT and RDY outputs are High-Z. Bits 6 and 7 become valid
after IOBE is set to "1". IOBE can be reset by a Cold Reset or by writing "0" to bit 5 of System Configuration1 Register.
I/O Buffer Enable Information[5]
Item
Definition
Description
IOBE
I/O Buffer Enable for INT and
RDY signals
0 = disable (default)
1 = enable
Boot Buffer Write Protect Status (BWPS)
Boot Buffer Write Protect Status Information[0]
Item
Definition
Description
BWPS
Boot Buffer Write Protect Status
0 = locked (fixed)
RDY Configuration (RDY conf)
RDY Configuration Information[4]
Item
Definition
Description
RDY conf
RDY configuration
0=active one clock before valid data(default)
1=active with valid data
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-FIB5 | FLASH MEMORY |
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| KFG1216D2A-FID5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FID6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-FIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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