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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216D2A-FED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 110/114頁 |
| 文件大小： | 1382K |
| 代理商： | KFG1216D2A-FED6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
110
Because the pull-up resistor value is related to tr(INT) an appropriate value can obtained with the following reference charts.
7.1.3 Determining Rp Value
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.089
tf[ns]
0.7727
1.345
1.788
3.77
3.77
3.77
3.77
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.142
2.431
3.77
3.77
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
5.420
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready Vcc
VOH
tf
tr
VOL
Vss
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’High’
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-FIB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FID5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FID6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-FIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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| KFG1216D2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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