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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00S009M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動SDRAM × 2 |
| 文件頁數(shù)： | 12/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1898K |
| 代理商： | KBE00S009M-D411 |
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MCP MEMORY
12
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions otherwise noted.)
Notes :
1. Typical values are measured at Vcc=2.7V, T
A
=25
°
C. And not 100% tested.
Paramete
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Operating
Current
Sequential Read
I
CC
1
tRC=50ns, CE=V
IL,
I
OUT
=0mA
-
10
20
mA
Program
I
CC
2
-
-
10
20
Erase
I
CC
3
-
-
10
20
Stand-by Current(TTL)
I
SB
1
CE=V
IH
, WP=0V/V
CC
-
-
1
Stand-by Current(CMOS)
I
SB
2
CE=V
CC
-0.2, WP=0V/V
CC
-
20
100
μ
A
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
=0 to Vcc(max)
-
-
±
10
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
=0 to Vcc(max)
-
-
±
10
Input High Voltage
V
IH
I/O pins
V
CCQ
-
0.4
-
V
CCQ
+
0.3
V
Except I/O pins
V
CC
-
0.4
-
V
CC
+
0.3
Input Low Voltage, All inputs
V
IL
-
-0.3
-
0.5
Output High Voltage Level
V
OH
I
OH
=-100
μ
A
V
CCQ
-
0.4
-
-
Output Low Voltage Level
V
OL
I
OL
=100uA
-
-
0.4
Output Low Current(R/B)
I
OL
(R/B)
V
OL
=0.1V
3
4
-
mA
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(Voltage reference to GND ,
T
A
=-25 to 85
°
C)
Parameter
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Supply Voltage
V
CC
2.5
2.7
2.9
V
V
CCQ
2.5
2.7
2.9
V
V
SS
0
0
0
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
NOTE
:
1. Minimum DC voltage is -0.6V on input/output pins. During transitions, this level may undershoot to -2.0V for periods <30ns.
Maximum DC voltage on input/output pins is V
CC
+0.3V which, during transitions, may overshoot to V
CC
+2.0V for periods <20ns.
2. Permanent device damage may occur if ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS are exceeded. Functional operation should be restricted to the conditions
as detailed in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Voltage on any pin relative to VSS
V
IN/OUT
-0.6 to +4.6
V
V
CC/
V
CCQ
-0.6 to +4.6
Temperature Under Bias
T
BIAS
-40 to +125
°
C
Storage Temperature
T
STG
-65 to +150
°
C
Short Circuit Current
I
OS
5
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2503 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2504 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2505 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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