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參數資料
| 型號： | K7D803671B-HC30 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| 中文描述： | 256Kx36 |
| 文件頁數： | 14/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | K7D803671B-HC30 |
Rev 4.0
256Kx36 & 512Kx18 SRAM
- 14
January. 2002
K7D801871B
K7D803671B
ID REGISTER DEFINITION
Part
Revision Number
(31:28)
Part Configuration
(27:18)
Vendor Definition
(17:12)
Samsung JEDEC Code
(11: 1)
Start Bit
(0)
256Kx36
512Kx18
0000
0000
00110 00100
00111 00011
XXXXXX
XXXXXX
00001001110
00001001110
1
1
SCAN REGISTER DEFINITION
Part
Instruction Register
Bypass Register
ID Register
Boundary Scan
256Kx36
3 bits
1 bits
32 bits
68 bits
512Kx18
3 bits
1 bits
32 bits
49 bits
BOUNDARY SCAN EXIT ORDER(x36)
1.Pin 6L is reserved for Mode Pin and the scanned data is fixed to "0"
2.Pin 3D is reserved for Address bit for 16Mb density and
the scanned data is fixed to "0"
36
37
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40
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3C
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4L
1K
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3M
2P
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3T
4R
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G
K
K
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SA
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0
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7M
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6
5
4
3
2
1
BOUNDARY SCAN EXIT ORDER(x18)
1.Pin 6L is reserved for Mode Pin and the scanned data is fixed to "0"
2.Pin 3D is reserved for Address bit for 16Mb density and
the scanned data is fixed to "0"
26
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4A
4C
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ZQ
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B
2
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K
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DQ
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6
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4
3
2
1
47
48
49
3P
3T
4R
SA
SA
SA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7D803671B-HC33 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC35 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC37 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7I321882M | 1Mx36 & 2Mx18 DDRII CIO b2 SRAM |
| K7I323682M | 1Mx36 & 2Mx18 DDRII CIO b2 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K7D803671B-HC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC33000 | 制造商:Samsung 功能描述:8MSYNCDOUBLE DATA RATE SRAMX36BGA - Bulk |
| K7D803671B-HC33T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:8MSYNCDOUBLE DATA RATE SRAMX36BGA, T/R - Tape and Reel |
| K7D803671B-HC35 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
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