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參數(shù)資料
| 型號： | K4T56163QI-ZLD50 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 29/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 727K |
| 代理商： | K4T56163QI-ZLD50 |
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Rev. 1.0 October 2007
DDR2 SDRAM
K4T56163QI
35 of 42
VSS
Hold Slew Rate
Falling Signal
Rising Signal
TR
TF
VREF(dc) - Vil(dc)max
TR
=
Vih(dc)min - VREF(dc)
TF
=
VDDQ
VIH(ac) min
VIH(dc) min
VREF(dc)
VIL(dc) max
VIL(ac) max
nominal
slew rate
nominal
slew rate
dc to VREF
region
dc to VREF
region
Figure 15 - IIIustration of nominal slew rate for tIH
CK
tIS
tIH
tIS
tIH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| K6R1004C1C-I | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I10 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I12 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4T56163QN | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory |
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| K4T56163QN-HCE6T00 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
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