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參數(shù)資料
| 型號： | K4N51163QC-ZC25 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | ; Filter Type:RFI; Current Rating:180A; Voltage Rating:480V; Series:FN258 RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 512MB的GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 56/64頁 |
| 文件大小： | 1420K |
| 代理商： | K4N51163QC-ZC25 |
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- 56 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
CMD
CKE
DQ
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Ty
T1
Tm
Tm+2
Ty+1
Ty+2
Ty+3
WR
WR
BL=8
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Tx+3
T1
Tm
Tm+2
Tx+4
Tx+5
Tx+6
WRA
WRA
BL=8
PRE
PRE
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
tWTR
tWTR
WR*1
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
WR
*1
Write with Autoprecharge to power down entry
CK
CK
CK
CK
WL
BL=4
BL=4
WL
WL
WL
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
CK
CK
* 1: WR is programmed through MRS
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
DQS
Write to power down entry
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC2A | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC33 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4R271669B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669B-N(M)CK7 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
| K4N51163QZ | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
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