參數(shù)資料
型號(hào)： K4N51163QC-ZC25
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： ; Filter Type:RFI; Current Rating:180A; Voltage Rating:480V; Series:FN258 RoHS Compliant: Yes
中文描述： 512MB的GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 2/64頁(yè)
文件大?。?/td> 1420K
代理商： K4N51163QC-ZC25
- 2 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
Revision History
Revision
Month
Year
History
1.0
April
2005
- First Released.
1.1
April
2005
- Corrected typo.
1.2
May
2005
- Changed speed bin organization.
(K4N56163QF-GC2A/K4N56163QF-GC33/K4N56163QF-GC36)
- 533 Speed bin changed into 550 speed bin.
- 600 speed bin is added.
- 667 speed bin changed into 700 speed bin.
1.3
Jun
2005
- Corrected typo.
- Seperaed gDDR2 device operation & timing.
1.4
September
2005
- Corrected typo.
1.5
October
2005
- Added gDDR2-800 SPEC
- Revised the IDD current values.
- Corrected typo.
- Merged Device operation and timing diagram according to customer request
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N51163QC-ZC2A 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC33 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC36 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4R271669B-N(M)CG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-N(M)CK7 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N51163QC-ZC2A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC33 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC36 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
K4N51163QZ 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
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