參數(shù)資料
型號(hào)： K4N51163QC-ZC25
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： ; Filter Type:RFI; Current Rating:180A; Voltage Rating:480V; Series:FN258 RoHS Compliant: Yes
中文描述： 512MB的GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 18/64頁(yè)
文件大?。?/td> 1420K
代理商： K4N51163QC-ZC25
- 18 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
Device Operation &
Timing Diagram
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N51163QC-ZC2A 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC33 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC36 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4R271669B-N(M)CG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-N(M)CK7 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N51163QC-ZC2A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC33 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC36 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
K4N51163QZ 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
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