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參數(shù)資料
| 型號： | K4H510838F-LCCC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 5/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 361K |
| 代理商： | K4H510838F-LCCC |
Rev. 1.1 November 2008
DDR SDRAM
K4H510438F
K4H510838F
K4H511638F
13 of 24
(VDD=2.7V, T = 10°C)
Symbol
128Mx4 (K4H510438F)
Unit Notes
B3(DDR333@CL=2.5)
B0(DDR266@CL=2.5)
IDD0
105
95
mA
IDD1
135
125
mA
IDD2P
5
mA
IDD2F
30
mA
IDD2Q
25
mA
IDD3P
30
mA
IDD3N
45
mA
IDD4R
140
125
mA
IDD4W
150
130
mA
IDD5
205
195
mA
IDD6
Normal
5
mA
Low power
3
mA
IDD7A
360
325
mA
Symbol
64Mx8 (K4H510838F)
Unit Notes
CC(DDR400@CL=3)
B3(DDR333@CL=2.5)
IDD0
120
105
mA
IDD1
150
135
mA
IDD2P
5
mA
IDD2F
30
mA
IDD2Q
25
mA
IDD3P
45
30
mA
IDD3N
60
45
mA
IDD4R
155
140
mA
IDD4W
175
150
mA
IDD5
220
205
mA
IDD6
Normal
5
mA
Low power
3
mA
IDD7A
385
360
mA
Symbol
32Mx16 (K4H511638F)
Unit Notes
CC(DDR400@CL=3)
B3(DDR333@CL=2.5)
IDD0
130
115
mA
IDD1
160
140
mA
IDD2P
5
mA
IDD2F
30
mA
IDD2Q
25
mA
IDD3P
45
30
mA
IDD3N
60
45
mA
IDD4R
190
170
mA
IDD4W
215
185
mA
IDD5
220
205
mA
IDD6
Normal
5
mA
Low power
3
mA
IDD7A
400
380
mA
15.0 DDR SDRAM IDD spec table
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S280432M-TC80 | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| K4S280832M-TC1L0 | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| K4S281632D-TI7C | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| K4S281632D-TP7C | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| K50-3C0E35.3280MR | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 35.328 MHz, CMOS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H510838G | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory |
| K4H510838G-LC/LB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb G-die DDR SDRAM Specification |
| K4H510838G-LC/LCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb G-die DDR SDRAM Specification |
| K4H510838J-BCB3000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:K4H510838J-BCB3000 - Trays |
| K4H510838J-BCCC000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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