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參數(shù)資料
| 型號： | JS28F640P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 50/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | JS28F640P30B85 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁當前第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁
1-Gbit P30 Family
April 2005
50
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
9.2
Device Commands
Device operations are initiated by writing specific device commands to the Command User
Interface (CUI). See
Table 20, “Command Bus Cycles” on page 50
. Several commands are used to
modify array data including Word Program and Block Erase commands. Writing either command
to the CUI initiates a sequence of internally
-
timed functions that culminate in the completion of the
requested task. However, the operation can be aborted by either asserting RST# or by issuing an
appropriate suspend command.
Table 20.
Command Bus Cycles (Sheet 1 of 2)
Mode
Command
Bus
Cycles
First Bus Cycle
Second Bus Cycle
Oper
Addr
(1)
Data
(2)
Oper
Addr
(1)
Data
(2)
Read
Read Array
1
Write
DBA
0xFF
-
-
-
Read Device Identifier
≥
2
Write
DBA
0x90
Read
DBA + IA
ID
CFI Query
≥
2
Write
DBA
0x98
Read
DBA + QA
QD
Read Status Register
2
Write
DBA
0x70
Read
DBA
SRD
Clear Status Register
1
Write
DBA
0x50
-
-
-
Program
Word Program
2
Write
WA
0x40/
0x10
Write
WA
WD
Buffered Program
(3)
>
2
Write
WA
0xE8
Write
WA
N - 1
Buffered Enhanced Factory
Program (BEFP)
(4)
>
2
Write
WA
0x80
Write
WA
0xD0
Erase
Block Erase
2
Write
BA
0x20
Write
BA
0xD0
Suspend
Program/Erase Suspend
1
Write
DBA
0xB0
-
-
-
Program/Erase Resume
1
Write
DBA
0xD0
-
-
-
Block
Locking/
Unlocking
Lock Block
2
Write
BA
0x60
Write
BA
0x01
Unlock Block
2
Write
BA
0x60
Write
BA
0xD0
Lock-down Block
2
Write
BA
0x60
Write
BA
0x2F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JS28F128P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JS28F640P30B85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| JS28F640P30BF65D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays |
| JS28F640P30BF75A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 4MX16 PBF TSOP 1.8V 制造商:Micron Technology 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray |
| JS28F640P30BF75D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP |
| JS28F640P30T85 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
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