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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JS28F640P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 41/102頁 |
| 文件大小： | 1609K |
| 代理商： | JS28F640P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
41
Note:
WAIT is driven per OE# assertion during synchronous array or non-array read. WAIT asserted during
initial latency and deasserted during valid data (RCR[10] = 0, Wait asserted low).
7.4
AC Write Specifications
Figure 21.
Synchronous Burst-Mode Four-Word Read Timing
y
A
Q0
Q1
Q2
Q3
R307
R10
R304
R305
R304
R4
R7
R17
R15
R9
R8
R303
R3
R106
R102
R105
R101
R2
R306
R302
R301
CLK [C]
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
Table 18.
AC Write Specifications (Sheet 1 of 2)
Num
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
Notes
W1
t
PHWL
RST# high recovery to WE# low
150
-
ns
1,2,3
W2
t
ELWL
CE# setup to WE# low
0
-
ns
1,2,3
W3
t
WLWH
WE# write pulse width low
50
-
ns
1,2,4
W4
t
DVWH
Data setup to WE# high
50
-
ns
1,2
W5
t
AVWH
Address setup to WE# high
50
-
ns
W6
t
WHEH
CE# hold from WE# high
0
-
ns
W7
t
WHDX
Data hold from WE# high
0
-
ns
W8
t
WHAX
Address hold from WE# high
0
-
ns
W9
t
WHWL
WE# pulse width high
20
-
ns
1,2,5
W10
t
VPWH
V
PP
setup to WE# high
V
PP
hold from Status read
200
-
ns
1,2,3,7
W11
t
QVVL
0
-
ns
W12
t
QVBL
WP# hold from Status read
0
-
ns
1,2,3,7
W13
t
BHWH
WP# setup to WE# high
200
-
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JS28F128P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JS28F640P30B85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| JS28F640P30BF65D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays |
| JS28F640P30BF75A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 4MX16 PBF TSOP 1.8V 制造商:Micron Technology 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray |
| JS28F640P30BF75D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP |
| JS28F640P30T85 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
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