參數(shù)資料
型號(hào)： JS28F256P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 80/102頁
文件大小： 1609K
代理商： JS28F256P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
80
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Figure 36.
Write State Machine—Next State Table (Sheet 3 of 6)
Setup
Busy
Setup
Busy
Suspend
Setup
BP Load 1
BP Load 2
BP
Confirm
BP Busy
BP
Suspend
Setup
Busy
Suspend
Erase
Word
Program
OTP
Ready
Current Chip
State
(7)
BP
Lock/CR Setup
OTP
Setup
(4)
Lock
Block
Confirm
(8)
Lock-Down
Block
Confirm
(8)
Write RCR
Confirm
(8)
Block Address
(WA0)
9
Illegal Cmds or
BEFP Data
(1)
(C0H)
(01H)
(2FH)
(03H)
(XXXXH)
(all other codes)
OTP
Setup
Ready
(Lock
Error)
Ready
(Lock
Block)
Ready
(Lock Down
Blk)
Ready
(Set CR)
Ready
N/A
Ready
Ready (BP Load 2 BP Load 2
Ready
BP Confirm if
Data load into
Program Buffer is
complete; ELSE
BP Load 2
Ready (Error)
(Proceed if
unlocked or lock
error)
Ready (Error)
Ready
Ready
N/A
BP Confirm if Data load into Program Buffer is
complete; ELSE BP load 2
Ready (Error)
BP Busy
Erase Busy
Word Program Suspend
BP Load 1
BP Load 2
OTP Busy
Word Program Busy
Word Program Busy
WSM
Operation
Completes
Command Input to Chip and resulting
Chip
Next State
N/A
Ready (Lock Error)
Ready
BP Suspend
Ready (Error)
Erase Suspend
N/A
N/A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
JSPHS-1000 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz
JSPHS-12 Phase Shifter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F256P30T95 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
JS28F256P30TF 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Intel 功能描述:16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PDSO56 制造商:Numonyx BV 功能描述:16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PDSO56
JS28F256P30TFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F256P30TFE 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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