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參數(shù)資料
| 型號： | JS28F256P30T85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 47/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | JS28F256P30T85 |
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1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
47
8.3
Power Supply Decoupling
Flash memory devices require careful power supply de-coupling. Three basic power supply current
considerations are: 1) standby current levels; 2) active current levels; and 3) transient peaks
produced when CE# and OE# are asserted and deasserted.
When the device is accessed, many internal conditions change. Circuits within the device enable
charge-pumps, and internal logic states change at high speed. All of these internal activities
produce transient signals. Transient current magnitudes depend on the device outputs’ capacitive
and inductive loading. Two-line control and correct de-coupling capacitor selection suppress
transient voltage peaks.
Because Intel
Multi-Level Cell (MLC) flash memory devices draw their power from V
CC
, VPP,
and VCCQ, each power connection should have a 0.1 μF ceramic capacitor to ground. High-
frequency, inherently low-inductance capacitors should be placed as close as possible to package
leads.
Additionally, for every eight devices used in the system, a 4.7 μF electrolytic capacitor should be
placed between power and ground close to the devices. The bulk capacitor is meant to overcome
voltage droop caused by PCB trace inductance.
Figure 27.
Reset Operation Waveforms
(
A) Reset during
read mode
(B) Reset during
program or block erase
P1
≤
P2
(C) Reset during
program or block erase
P1
≥
P2
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RST# [P]
RST# [P]
RST# [P]
Abort
Complete
Abort
Complete
V
CC
0V
V
CC
(D) VCC Power-up to
RST# high
P1
R5
P2
P3
P2
R5
R5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JS28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS4PS-1W | Power Splitter/Combiner |
| JSPHS-1000 | 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz |
| JSPHS-12 | Phase Shifter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JS28F256P30T95 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30T95A | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| JS28F256P30TF | 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Intel 功能描述:16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PDSO56 制造商:Numonyx BV 功能描述:16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PDSO56 |
| JS28F256P30TFA | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| JS28F256P30TFE | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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