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參數(shù)資料
| 型號： | IXTN79N20 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 79A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|獨立| 200伏五（巴西）直| 79A條（?。?/td> |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | IXTN79N20 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP11P15 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
| IXTP1N100 | High Voltage MOSFET |
| IXTP2N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IXTA2N100 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻7Ω的N溝道增強型高電壓MOSFET) |
| IXTP2N80 | High Voltage MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTN8N150L | 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN90N25L2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN90P20P | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| IXTP 3N100P | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
| IXTP01N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage MOSFET |
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