參數(shù)資料
型號(hào)： IXTH11P50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
中文描述： 11 A, 500 V, 0.75 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： IXTH11P50
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307 5,237,481 5,381,025
IXTH 11N80
IXTM 11N80
IXTH 13N80
IXTM 13N80
V
DS
- Volts
1
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.5
C
rss
C
oss
100ms
10ms
1ms
100μs
10μs
Limited by R
DS(on)
C
iss
Single Pulse
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
2
4
6
8
10
V
DS
= 400V
I
D
= 13A
I
G
= 10mA
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH12N120 Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage
IXTH12N50A Standard Power MOSFET
IXTM12N50A Standard Power MOSFET
IXTH12N90 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.90Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
IXTH14N100 MegaMOSTMFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH120N15T 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH120P065T 功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH12N100 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH12N100L 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH12N100Q 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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