參數(shù)資料
型號： IXSN50N60BD2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管))
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SOT-227B, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： IXSN50N60BD2
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.02
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
125
150
175
0
4
8
12
16
20
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
5
10
15
20
E
(
0
1
2
3
4
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
100
E
(
0
4
8
12
16
20
24
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
= 250V
I
C
=50A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 6.2
dV/dt < 5V/ns
D=0.1
D=0.05
Single pulse
D = Duty Cycle
T
J
= 125°C
R
G
= 10
600
E
(OFF)
E
(OFF)
D=0.2
D=0.5
D=0.01
I
C
=25A
T
J
= 125°C
I
C
= 100A
I
C
= 50A
E
(ON)
E
(ON)
IXSN 50N60BD2
IXSN 50N60BD3
Figure 9. Gate Charge
Figure 10. Turn-off Safe Operating Area
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
Figure 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSN52N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSN55N120AU1 High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管)
IXSN55N120 High Voltage IGBT
IXSN55N120A High Voltage IGBT
IXSN62N60U1 IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSN50N60BD3 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN50N60U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B
IXSN51N60AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B
IXSN52N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V 3.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN55N100U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B
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