參數(shù)資料
型號(hào)： IXGP12N100U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT - Combi Pack
中文描述： 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IXGP12N100U1
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
GE
- Volts
2
4
6
8
10
12
I
C
0
10
20
30
40
50
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
10
20
30
40
50
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
CE
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
C
0
20
40
60
80
100
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 6A
I
C
= 12A
I
C
= 24A
f = 1Mhz
7V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
10
20
30
40
50
T
J
= 125
°
C
C
iss
C
oss
V
GE
= 15V
13V
11V
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
7V
9V
C
rss
T
J
=
125
°
C
IXGA12N100U1
IXGA12N100AU1
IXGP12N100U1
IXGP12N100AU1
Figure 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Figure 2. Extended Output Characteristics
Figure 1. Saturation Voltage Characteristics
Figure 6. Capacitance Curves
Figure 5. Admittance Curves
Figure 3. Saturation Voltage Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGP12N100AU1 IGBT - Combi Pack
IXGA12N100 IGBT
IXGA12N100A IGBT
IXGA12N60B HiPerFAST IGBT
IXGP12N60B HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGP12N120A2 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP12N120A3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 1200V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGP12N60B 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP12N60C 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP12N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*