參數(shù)資料
型號(hào)： IXGK120N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： IXGK120N60B
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= 60 A; V
CE
= 10 V,
50
75
S
C
ies
C
oes
C
res
11000
680
190
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
350
72
131
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
60
45
2.4
200
160
5.5
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
360
280
9.6
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
60
60
4.8
290
250
8.7
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R
thJC
R
thCK
0.21 K/W
0.15
K/W
IXGK 120N60B
IXGX 120N60B
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= 100A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.4
Remarks: Switching times
may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
=125 C
I
C
= 100A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.4
Remarks: Switching times
may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
,
higher T
J
or increased R
G
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA Outline
PLUS247
TM
(IXGX)
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGX120N60B HiPerFAST IGBT
IXGK35N120C HiPerFAST IGBT
IXGK35N120CD1 HiPerFAST IGBT
IXGX35N120C HiPerFAST IGBT
IXGX35N120CD1 HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK120N60B_10 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBTs
IXGK120N60B3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBTs
IXGK120N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK28N140B3H1 功能描述:IGBT 晶體管 28 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK300N60B3 功能描述:IGBT 模塊 300 Amps 600V 1.6 Rds RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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