參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH60N60B2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 581K
代理商： IXGH60N60B2
2003 IXYS All rights reserved
Fig. 14. Gate Charge
0
3
6
9
12
15
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
I
G
= 10mA
Fig. 15. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
C E
- Volts
20
25
30
35
40
C
C
ies
C
oes
C
res
f = 1 MHz
Fig. 13. Dependence of Turn-Off
Switching Time on Temperature
50
100
150
200
250
300
350
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
S
I
C
= 25A
50A
100A
t
d(off)
t
fi
-
- - - - -
R
G
= 3.3
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 100A
50A
25A
Fig. 16. Maximum Transient Thermal Resistance
0.05
0.075
0.1
0.125
0.15
0.175
0.2
0.225
0.25
0.275
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
IXGH 60N60B2
IXGT 60N60B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGT60N60B2 Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching
IXGH60N60C2 HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IXGT60N60C2 HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IXGH60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXGK60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH60N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH60N60C3 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 600V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH60N60C3D1 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH64N60A3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH64N60B3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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