參數(shù)資料
型號： IXGH60N60B2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 581K
代理商： IXGH60N60B2
IXGH 60N60B2
IXGT 60N60B2
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
50
100
150
200
250
300
I
C
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 8. Dependence of Turn-Off
Energy on R
G
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
R
G
- Ohms
25
30
35
40
45
50
E
o
-
I
C
= 25A
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 50A
I
C
= 100A
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy
on I
c
0
1
2
3
4
5
6
7
20
30
40
50
I
C
- Amperes
60
70
80
90
100
E
o
R
G
= 3.3
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 10. Dependence of Turn-Off
Energy on Temperature
0
1
2
3
4
5
6
7
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
E
o
I
C
= 100A
R
G
= 3.3
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 50A
I
C
= 25A
Fig. 11. Dependence of Turn-Off
Switching Time on R
G
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0
5
10
15
20
R
G
- Ohms
25
30
35
40
45
50
S
I
C
= 50A
t
d(off)
t
fi
-
- - - - -
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 25A
I
C
= 100A
Fig. 12. Dependence of Turn-Off
Switching Time
on I
c
50
100
150
200
250
300
350
400
20
30
40
50
I
C
- Amperes
60
70
80
90
100
S
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
R
G
= 3.3
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGT60N60B2 Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching
IXGH60N60C2 HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IXGT60N60C2 HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IXGH60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
IXGK60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
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參數(shù)描述
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IXGH64N60B3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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