參數(shù)資料
型號: IXGH40N60B
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: HiPerFAST IGBT(VCES為600V,VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述: 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 290K
代理商: IXGH40N60B
2001 IXYS All rights reserved
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IXGH 40N60B
IXGT 40N60B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH40N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(VCES為600V,VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH41N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCES為600V,VCE(sat)為1.6V的絕緣柵雙極晶體管)
IXGH45N120 IGBT
IXGT45N120 IGBT
IXGH50N60B2 HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH40N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60C 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube