參數(shù)資料
型號： IXGH12N100U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
中文描述： 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 151K
代理商： IXGH12N100U1
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXGH12N100U1
IXGH12N100AU1
Fig. 12. Forward current versus
voltage drop.
Fig. 13. Recovery charge versus -di
F
/dt.
Fig. 14. Peak reverse current versus
-di
F
/dt.
Fig. 15. Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 16. Reverse recovery time .
versus -di
F
/dt
Fig. 17. Forward voltage recovery and
time versus -di
F
/dt.
Fig. 18. Transient thermal impedance junction to case.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH12N100AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGH12N60BD1 HiPerFAST IGBT(VDSS為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH12N60B HiPerFAST IGBT(VDSS為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH12N60CD1 HiPerFASTTM IGBT LightspeedTM Series
IXGH12N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列,VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH12N100U1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N120A2D1 功能描述:MOSFET 24 Amps 1200V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH12N120A3 功能描述:IGBT 1200V 22A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:GenX3™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH12N60B 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH12N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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