參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH10N100A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
中文描述： 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 46K
代理商： IXGH10N100A
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 10N100
IXGH 10N100A
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
; V
CE
= 10 V,
4
8
S
C
ies
C
oes
C
res
750
150
30
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
52
13
24
70
25
45
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
100
200
550
800
500
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
900
10N100
10N100A
10N100A
E
off
2
3
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
100
200
1.1
600
1250
950
5.0
2.5
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
1000
2000
1000
10N100
10N100A
10N100
10N100A
E
off
R
thJC
R
thCK
1.2 K/W
K/W
0.25
IXGH 10N100 and IXGH 10N100A characteristic curves are located on the
IXGH 10N100U1 and IXGH 10N100AU1 data sheets.
TO-247 AD Outline
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 300
μ
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 150
Remarks: Switching times
may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 150
Remarks: Switching times
may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
1 = Gate
2 = Collector
3 = Emitter
Tab = Collector
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH10N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs
IXGH10N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs
IXGH12N100 Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH10N100AU1 功能描述:IGBT LOW VOLT 1000V 20A TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH10N100U1 功能描述:IGBT HI SPEED 1000V 20A TO-247AD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH10N170 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH10N170A 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH10N300 功能描述:IGBT 晶體管 Very High Voltage NPT IGBT; 3000V VCES RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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