參數(shù)資料
型號： IXGB25N60R2
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | SIP
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展|第25A條（c）的|園區(qū)
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代理商： IXGB25N60R2
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PDF描述
IXGH10N50U1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-247
IXGH12N100A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD
IXGH12N100AS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N100AU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N100S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGB75N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGC12N60C 功能描述:IGBT 晶體管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGC12N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGC16N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 8 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGC16N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 8 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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