參數(shù)資料
型號： IXGH12N100AU1S
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 24A條一（c）|至247SMD
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代理商： IXGH12N100AU1S
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PDF描述
IXGH12N100S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N100U1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N60C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD
IXGH12N90C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD
IXGH20N90A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH12N100S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N100U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGH12N100U1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N120A2D1 功能描述:MOSFET 24 Amps 1200V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH12N120A3 功能描述:IGBT 1200V 22A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:GenX3™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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