參數(shù)資料
型號(hào): IXGH10N50U1
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-247
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 10A條一(c)|至247
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商: IXGH10N50U1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH12N100A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD
IXGH12N100AS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N100AU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N100S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N100U1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH10N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60A 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IXGH Series 600 Vce 20 A 100 ns t(on) IGBT w/ Diode - TO-247AD
IXGH10N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH10N60U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs
IXGH120N30B3 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube