參數(shù)資料
型號(hào): IXGA12N100U1
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: IGBT - Combi Pack
中文描述: 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝: D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 4/4頁(yè)
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代理商: IXGA12N100U1
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXGA12N100U1
IXGA12N100AU1
IXGP12N100U1
IXGP12N100AU1
Figure 7. Dependence of tfi and E
OFF
on I
C
.
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure 8. Dependence of tfi and E
OFF
on R
G
.
Figure 9. Gate Charge
Figure 10. Turn-off Safe Operating Area
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
V
CE
- Volts
0
200
400
600
800
1000
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
15
30
45
60
75
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
30
60
90
120
150
E
(
0
1
2
3
4
5
t
f
-
0
200
400
600
800
1000
I
C
- Amperes
0
5
10
15
20
E
(
1
2
3
4
5
t
f
800
900
1000
1100
1200
V
CE
= 150V
I
C
= 30A
t
fi
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 4.7
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
R
G
= 120
T
J
= 125°C
24
T
J
= 125°C
I
C
= 12A
E
(OFF)
D=0.2
t
fi
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGP12N100U1 IGBT - Combi Pack
IXGP12N100AU1 IGBT - Combi Pack
IXGA12N100 IGBT
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參數(shù)描述
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IXGA12N120A3 功能描述:IGBT 晶體管 1200V, 12A IGBT; G Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA12N60B 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA12N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA12N60C 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube