參數(shù)資料
型號： IXFX24N90Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
中文描述： 24 A, 900 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： IXFX24N90Q
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
16
22
S
C
iss
C
oss
C
rss
5900
650
130
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
21
60
12
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
170
38
75
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.26
K/W
K/W
0.15
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
24
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
96
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
1.4
C
I
RM
9
A
I
F
= I
S
,-di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
5.45 BSC
19.81
3.81
5.59
4.32
Inches
Min.
.190
.090
.075
.045
.075
.115
.024
.819
.620
.215 BSC
.780
.150
.220 0.244
.170
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
Max.
.205
.100
.085
.055
.084
.123
.031
.840
.635
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
20.32
4.32
6.20
4.83
.800
.170
.190
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
PLUS 247
TM
Outline
Note: 1. Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
IXFK 24N90Q
IXFX 24N90Q
TO-264 AA Outline
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
相關PDF資料
PDF描述
IXFK24N90Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX30N50Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFX38N80Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
IXFK38N80Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
IXFN38N80Q2 RECT UFST 100V 2A 50NS SMB SMD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXFX250N10P 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX25N90 功能描述:MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX260N17T 功能描述:MOSFET 260A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX26N100P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX26N120P 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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