參數(shù)資料
型號： IXFX180N10
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 180A（?。﹟對247VAR
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 141K
代理商： IXFX180N10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK180N085 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 85V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-264AA
IXFK180N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-264AA
IXGA20N60B TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-263AA
IXGP20N60B TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-220AB
IXGA24N60A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-236AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFX180N15P 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX180N25T 功能描述:MOSFET 180A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX200N10P 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX20N120 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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