- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361010 > IXFK180N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-264AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXFK180N10 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-264AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 180A（?。﹟對(duì)264AA |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | IXFK180N10 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGA20N60B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-263AA |
| IXGP20N60B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-220AB |
| IXGA24N60A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-236AA |
| IXGA7N60B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AA |
| IXGP7N60B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFK180N10_09 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs |
| IXFK180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK180N25T | 功能描述:MOSFET 180A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK185N10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA |
| IXFK200N10P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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