參數(shù)資料
型號： IXGA20N60B
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-263AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 40A條一（c）|至263AA
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 210K
代理商： IXGA20N60B
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PDF描述
IXGP20N60B TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-220AB
IXGA24N60A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-236AA
IXGA7N60B TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AA
IXGP7N60B TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IXGA7N60C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA24N120C3 功能描述:IGBT 模塊 40khz PT IGBTs Power Device RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGA24N60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-236AA
IXGA24N60C 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES "B"MID-FREQ SINGLE IGBT 600V 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA30N120B3 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 1200V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA30N60C3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT
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